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在这个样品(ε=0.03%)和其他很少发现的超低应变器件区域中，冀北电荷中性的LDOS是有缺口的(图3c)，并与库仑充电效应卷积。然而，电力对于v=-2附近的填充物，占据态和未占据态的低偏压图像在原子尺度上都表现出了破碎的空间对称性。

特别地，年第对这些关联绝缘体的R3斑图的观测排除了v=±2处的主导候选克拉默斯区间相干(K-IVC)态，年第因为尽管该态是IVC态，但该态的对称性导致零磁场下任何R3空间斑图的取消。物资图3 利用莫尔平移对称性和IVC同位旋涡旋区分v=±2处的关联绝缘体©2023SpringerNatureLimited与候选基态的比较本工作现在将这些结果与v=±2绝缘态的理论预言进行比较。首先，招标尽管R3模式的存在意味着IVC的有序性，但并非所有的IVC候选态都表现出R3模式。

 四、采购[数据概览]MATBG中对称性破缺的可视化本工作使用自制的稀释冰箱STM26(在4 K和200 mK)研究了门控MATBG器件中具有高空间和能量分辨率的电子态的空间结构。在基于石墨烯的材料之外，适用审间隔相干态通常在其他莫尔材料中被预测，这使得本工作的实验方法在识别这些材料中的这种相具有相关性。

总的来说，于资本工作提供了关联多体波函数的精确可视化，于资证明了即使是高度复杂的物质关联量子相，也可以利用波函数映射与STM的尖锐能力在实验上建立。

图1  在MATBG中成像原子尺度的Kekulé斑图©2023SpringerNatureLimited图2  基于对称性的序参量分解和Chern-扇区间相干性©2023SpringerNatureLimited当v=±2时，国网公开格后莫尔尺度对称性破缺 本工作将序参量分析应用于温度为T=200 mK时常见的关联绝缘子在v=-2处的STM图像。2017年第三季度，冀北国内最大的面板供应商京东方夺得了大尺寸液晶面板供给王座，且在OLED技术上，缩小与三星、LG差距。

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